郑州大学学报（工学版）2008，Vol.29Issue(3)：31-34,4.
一种新的高电子迁移率晶体管Ⅰ-Ⅴ解析模型
A New High Electronic Mobility Transistor Ⅰ-Ⅴ Analytical Model
向兵 1侯卫周1
作者信息
- 1. 河南大学,物理与电子学院,河南,开封,475001
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摘要
关键词
高电子迁移率晶体管/模型/二维电子气/速度-场分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
向兵,侯卫周..一种新的高电子迁移率晶体管Ⅰ-Ⅴ解析模型[J].郑州大学学报（工学版）,2008,29(3):31-34,4.
