电子器件2009，Vol.32Issue(1)：31-34,4.
高压SOI PLDMOS的寄生双沟道特性分析及其改进结构
Analysis of the Parasitic Double-Channel Effect of SOI PLDMOS and a Novel Structure
王靖琳 1钱钦松 1孙伟锋1
作者信息
- 1. 东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心,南京,210096
- 折叠
摘要
关键词
SOI PLDMOS/寄生效应/双沟道/击穿电压分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
王靖琳,钱钦松,孙伟锋..高压SOI PLDMOS的寄生双沟道特性分析及其改进结构[J].电子器件,2009,32(1):31-34,4.
