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氮化硅轴承球表面层残余应力的形成机理及试验研究

任成祖 许浩

硅酸盐通报2000，Vol.19Issue(4)：31-35,5.
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硅酸盐通报2000，Vol.19Issue(4)：31-35,5.

氮化硅轴承球表面层残余应力的形成机理及试验研究

Forming Mechanism of Residual Stress in Surface of Silicon Nitride Ceramic Balls and Experimental Research

任成祖 1许浩1

作者信息

  • 1. 天津大学
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摘要

关键词

残余应力/氮化硅轴承球/比容积

分类

化学化工

引用本文复制引用

任成祖,许浩..氮化硅轴承球表面层残余应力的形成机理及试验研究[J].硅酸盐通报,2000,19(4):31-35,5.

硅酸盐通报

OACSCDCSTPCD

1001-1625

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