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硅片缺陷粒径分布参数的提取方法

郝跃 陆勇 赵天绪 马佩军

半导体学报2002,Vol.23Issue(3):315-318,4.
半导体学报2002,Vol.23Issue(3):315-318,4.

硅片缺陷粒径分布参数的提取方法

Extraction Method of Defect Size Distribution Parameter on Silicon Wafer

郝跃 1陆勇 1赵天绪 1马佩军1

作者信息

  • 1. 西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071
  • 折叠

摘要

关键词

缺陷/故障/粒径分布/成品率

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

郝跃,陆勇,赵天绪,马佩军..硅片缺陷粒径分布参数的提取方法[J].半导体学报,2002,23(3):315-318,4.

基金项目

国家"九五"科技攻关资助项目(No.96-738-01-03-10) (No.96-738-01-03-10)

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

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