传感技术学报2009，Vol.22Issue(3)：316-319,4.
多孔硅的I-V特性及NO2气敏特性研究
Study on the Electrical and NO2 Gas-Sensing Properties of Porous Silicon
摘要
关键词
多孔硅/孔隙率/I-V特性/NO2气敏特性分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
孙风云,胡明,孙鹏,陈鹏,刘博..多孔硅的I-V特性及NO2气敏特性研究[J].传感技术学报,2009,22(3):316-319,4.基金项目
国家自然科学基金资助项目(60771019,60801018) （60771019,60801018）
