半导体学报2004，Vol.25Issue(3)：316-320,5.
新结构复合收集区InGaP/GaAs异质结双极晶体管结构设计及特性
A Novel Compound Collector InGaP/GaAs Heterojunction Bipolar Transistor
摘要
关键词
电子运动速度过冲/复合收集区/异质结双极晶体管/直流和射频特性分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
石瑞英,刘训春,袁志鹏,王润梅,孙海锋..新结构复合收集区InGaP/GaAs异质结双极晶体管结构设计及特性[J].半导体学报,2004,25(3):316-320,5.基金项目
国家重点基础研究发展规划资助项目(编号:G200006830403) （编号:G200006830403）
