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n-SiC的电子拉曼散射及二级拉曼谱研究

韩茹 杨银堂 柴常春

物理学报2008,Vol.57Issue(5):3182-3187,6.
物理学报2008,Vol.57Issue(5):3182-3187,6.

n-SiC的电子拉曼散射及二级拉曼谱研究

Electronic Raman scattering and the second-order Raman spectra of the n-type SiC

韩茹 1杨银堂 1柴常春1

作者信息

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071
  • 折叠

摘要

关键词

碳化硅/电子拉曼散射/轨道能谷分裂/倍频谱

分类

数理科学

引用本文复制引用

韩茹,杨银堂,柴常春..n-SiC的电子拉曼散射及二级拉曼谱研究[J].物理学报,2008,57(5):3182-3187,6.

基金项目

国家部委预研资助项目(批准号:51308030201)资助的课题. (批准号:51308030201)

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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