物理学报2008,Vol.57Issue(5):3182-3187,6.
n-SiC的电子拉曼散射及二级拉曼谱研究
Electronic Raman scattering and the second-order Raman spectra of the n-type SiC
摘要
关键词
碳化硅/电子拉曼散射/轨道能谷分裂/倍频谱分类
数理科学引用本文复制引用
韩茹,杨银堂,柴常春..n-SiC的电子拉曼散射及二级拉曼谱研究[J].物理学报,2008,57(5):3182-3187,6.基金项目
国家部委预研资助项目(批准号:51308030201)资助的课题. (批准号:51308030201)