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势垒区δ掺杂量子阱Si/Ge0.3Si0.7的电子能带结构及电子密度分布

徐至中

半导体学报Issue(5)：321,1.
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半导体学报Issue(5)：321,1.

势垒区δ掺杂量子阱Si/Ge0.3Si0.7的电子能带结构及电子密度分布

徐至中1

作者信息

  • 1. 复旦大学物理系
  • 折叠

摘要

关键词

硅/GeSi/量子阱/掺杂/电子能带结构

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

徐至中..势垒区δ掺杂量子阱Si/Ge0.3Si0.7的电子能带结构及电子密度分布[J].半导体学报,1996,(5):321,1.

半导体学报

OA北大核心CSCD

1674-4926

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