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半导体学报
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EL2光淬灭过程中光电导增强现象原因新探
EL2光淬灭过程中光电导增强现象原因新探
徐波
王占国
万寿科
孙虹
张辉
杨锡权
林兰英
半导体学报
Issue(5)：322,1.
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半导体学报
Issue(5)
：322,1.
EL2光淬灭过程中光电导增强现象原因新探
徐波
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王占国
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万寿科
1
孙虹
1
张辉
1
杨锡权
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林兰英
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关键词
光电导增强
/
费米能级
/
砷化镓
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单级
分类
信息技术与安全科学
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徐波,王占国,万寿科,孙虹,张辉,杨锡权,林兰英..EL2光淬灭过程中光电导增强现象原因新探[J].半导体学报,1994,(5):322,1.
半导体学报
OA
北大核心
CSCD
ISSN：
1674-4926
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