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一种结构新颖的CMOS带隙基准源

赵世欣 袁国顺

电子器件2006，Vol.29Issue(2)：322-324,3.
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电子器件2006，Vol.29Issue(2)：322-324,3.

一种结构新颖的CMOS带隙基准源

Novel CMOS Bandgap Voltage Reference

赵世欣 1袁国顺1

作者信息

  • 1. 中国科学院微电子研究所,北京,100029
  • 折叠

摘要

关键词

CMOS/带隙基准/输出可调/启动电路

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

赵世欣,袁国顺..一种结构新颖的CMOS带隙基准源[J].电子器件,2006,29(2):322-324,3.

电子器件

OACSTPCD

1005-9490

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