新疆师范大学学报（自然科学版）2005，Vol.24Issue(4)：32-35,4.
不同类型双极晶体管的低剂量率辐射损伤增强效应损伤机制
The Mechanism of Different Type Bipolar Transistors Enhanced Low Does Rate Sensitivity
王先明 1刘楚湘 1魏蔚1
作者信息
- 1. 新疆师范大学,数理信息学院,新疆,乌鲁木齐,830054
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摘要
关键词
双极晶体管/ELDRS/低剂量率辐射损伤增强效应分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
王先明,刘楚湘,魏蔚..不同类型双极晶体管的低剂量率辐射损伤增强效应损伤机制[J].新疆师范大学学报（自然科学版）,2005,24(4):32-35,4.
