电子器件2006，Vol.29Issue(2)：325-329,5.
基于全耗尽技术的SOI CMOS集成电路研究
Research of SOI CMOS Integrated Circuit Based on Fully Depleted Technology
张新 1刘梦新 2高勇 1洪德杰 1王彩琳 2邢昆山1
作者信息
- 1. 西安理工大学自动化学院电子工程系,西安,710048
- 2. 华东光电集成器件研究所,安徽,蚌埠,233042
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摘要
关键词
全耗尽/SOI CMOS/LDD结构/LDS结构/脉冲测定分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
张新,刘梦新,高勇,洪德杰,王彩琳,邢昆山..基于全耗尽技术的SOI CMOS集成电路研究[J].电子器件,2006,29(2):325-329,5.
