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InGaAs 中 Be 离子注入的研究

张永刚 富小妹 潘慧珍 陈如意 张荟星

半导体学报Issue(3)：328,1.
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半导体学报Issue(3)：328,1.

InGaAs 中 Be 离子注入的研究

张永刚 1富小妹 1潘慧珍 1陈如意 1张荟星1

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张永刚,富小妹,潘慧珍,陈如意,张荟星..InGaAs 中 Be 离子注入的研究[J].半导体学报,1988,(3):328,1.

半导体学报

OACSCD

1674-4926

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