半导体学报2008，Vol.29Issue(2)：329-333,5.
钝化前表面预处理对AlGaN/GaN HEMTs性能的影响
Performance Improvement of A1GaN/GaN HEMTs by Surface Treatment Prior to Si3N4 Passivation
摘要
关键词
AlGaN/GaN HEMTs/钝化/表面预处理/初始氧化层分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
李诚瞻,刘丹,郑英奎,刘新宇,刘键,魏珂,和致经..钝化前表面预处理对AlGaN/GaN HEMTs性能的影响[J].半导体学报,2008,29(2):329-333,5.基金项目
国家重点基础研究发展计划(批准号:2002CB311903)和中国科学院重点创新基金(批准号:KGCX2-SW-107)资助项目 （批准号:2002CB311903）
