物理学报2009，Vol.58Issue(5)：3302-3308,7.
碳化硅中氦离子高温注入引入的缺陷及其退火行为的光谱研究
Optical properties revealing annealing behavior of high-temperature He-implantation induced defects in silicon carbide
摘要
关键词
6H-SiC/离子注入/拉曼光谱/光致发光谱分类
数理科学引用本文复制引用
张洪华,张崇宏,李炳生,周丽宏,杨义涛,付云翀..碳化硅中氦离子高温注入引入的缺陷及其退火行为的光谱研究[J].物理学报,2009,58(5):3302-3308,7.基金项目
国家自然科学基金(批准号:10575124)资助的课题. （批准号:10575124）
