物理学报2005，Vol.54Issue(7)：3312-3316,5.
ZrO2/SiO2多层膜中膜厚组合周期数及基底材料对残余应力的影响
Influences of the period of repeating thickness on the stress of alternative high and low refractivity ZrO2/SiO2 multilayers
邵淑英 1范正修 2邵建达1
作者信息
- 1. 中科院上海光学精密机械研究所,光学薄膜技术研究与发展中心,上海,201800
- 2. 中国科学院研究生院,北京,100864
- 折叠
摘要
关键词
ZrO2/SiO2多层膜/残余应力/膜厚组合周期数分类
数理科学引用本文复制引用
邵淑英,范正修,邵建达..ZrO2/SiO2多层膜中膜厚组合周期数及基底材料对残余应力的影响[J].物理学报,2005,54(7):3312-3316,5.
