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128×1线列InGaAs短波红外焦平面的研究OA北大核心CSCDCSTPCD

STUDY ON 128×1 ELEMENT LINEAR InGaAs SHORT WAVELENTH INFRARED FOCAL PLANE ARRAY

中文摘要

报道了用分子束外延(MBE)方法生长的掺杂InGaAs吸收层PIN InP/InGaAs/InP 双异质结外延材料,通过干法刻蚀和湿法腐蚀相结合制作台面、硫化和聚酰亚胺钝化、电极生长等工艺,制备了128×1台面正照射InGaAs探测器阵列.测试了器件的变温I-V、响应光谱和探测率,在278K时平均峰值探测率为1.03×1012 cmHz1/2W-1.实现了128元InGaAs探测器阵列与CTIA结构L128读出电路相互连,经封装后,在室温(291…查看全部>>

吕衍秋;徐运华;韩冰;孔令才;亢勇;庄春泉;吴小利;张永刚;龚海梅

中国科学院上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083中国科学院研究生院,北京,100039中国科学院上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083中国科学院研究生院,北京,100039中国科学院上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083中国科学院研究生院,北京,100039中国科学院上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083中国科学院上海技术物理研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200083中国科学院研究生院,北京,100039

信息技术与安全科学

探测器焦平面InGaAs钝化

《红外与毫米波学报》 2006 (5)

333-337,5

国家自然科学基金重点资助项目(50632060)国防预研项目

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