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SiO2/Ta界面反应及其对Cu扩散的影响

龙世兵 马纪东 于广华 赵洪辰 朱逢吾 张国海 夏洋

北京科技大学学报2003,Vol.25Issue(1):33-35,3.
北京科技大学学报2003,Vol.25Issue(1):33-35,3.

SiO2/Ta界面反应及其对Cu扩散的影响

Reaction of the SiO2/Ta Interface and its Influence on Cu Diffusion

龙世兵 1马纪东 1于广华 1赵洪辰 1朱逢吾 1张国海 2夏洋2

作者信息

  • 1. 北京科技大学材料物理系,北京,100083
  • 2. 中国科学院微电子中心,北京,100029
  • 折叠

摘要

关键词

Cu互连/扩散阻挡层/界面反应/X射线光电子能谱

分类

通用工业技术

引用本文复制引用

龙世兵,马纪东,于广华,赵洪辰,朱逢吾,张国海,夏洋..SiO2/Ta界面反应及其对Cu扩散的影响[J].北京科技大学学报,2003,25(1):33-35,3.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(No.19890310) (No.19890310)

北京科技大学学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

2095-9389

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