发光学报2000，Vol.21Issue(1)：33-37,5.
MOCVD生长的未掺杂GaN的结晶特性与补偿度关系的研究
Relationship Between Structural Characteristics and Compensation Ratio in Unintentionally Doped GaN Grown by MOCVD
摘要
关键词
GaN/补偿度/X射线双晶衍射/MOCVD分类
数理科学引用本文复制引用
辛勇,熊传兵,彭学新,王立,姚冬敏,李述体,江风益..MOCVD生长的未掺杂GaN的结晶特性与补偿度关系的研究[J].发光学报,2000,21(1):33-37,5.基金项目
国家高技术"863"材料委员会、国家自然科学重大基金资助项目(批准号69896260) （批准号69896260）
