安徽大学学报（自然科学版）2004，Vol.28Issue(3)：33-37,5.
SiO2对(Sr,Bi,Si,Ta)掺杂的TiO2基压敏陶瓷电性能的影响
Influence of SiO2 on electrical properties of (Sr,Bi,Si,Ta)-added TiO2-based varistor
孟凡明 1胡素梅 2傅刚 3方庆清1
作者信息
- 1. 安徽大学,物理与材料科学学院,安徽,合肥,230039
- 2. 茂名学院,技术物理系,广东,茂名,525300
- 3. 广州大学,固体物理与材料研究实验室,广东,广州,510405
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摘要
关键词
TiO2基压敏陶瓷/压敏电压/非线性系数/电容量/晶粒电阻/半导化分类
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孟凡明,胡素梅,傅刚,方庆清..SiO2对(Sr,Bi,Si,Ta)掺杂的TiO2基压敏陶瓷电性能的影响[J].安徽大学学报（自然科学版）,2004,28(3):33-37,5.
