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压电调制反射光谱研究GaAs/Al0.29Ga0.71 As单量子阱

王茺 陈平平 周旭昌 夏长生 王少伟 陈效双 陆卫

物理学报2005，Vol.54Issue(7)：3337-3341,5.
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物理学报2005，Vol.54Issue(7)：3337-3341,5.

压电调制反射光谱研究GaAs/Al0.29Ga0.71 As单量子阱

Piezomodulated-reflectivity study of GaAs/Al0.29Ga0.71As single quantum well

王茺 1陈平平 1周旭昌 1夏长生 1王少伟 1陈效双 1陆卫1

作者信息

  • 1. 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083
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摘要

关键词

压电调制反射光谱/单量子阱/分子束外延

分类

数理科学

引用本文复制引用

王茺,陈平平,周旭昌,夏长生,王少伟,陈效双,陆卫..压电调制反射光谱研究GaAs/Al0.29Ga0.71 As单量子阱[J].物理学报,2005,54(7):3337-3341,5.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:10074068和60244002)资助的课题. （批准号:10074068和60244002）

物理学报

OA北大核心CSCDSCI

1000-3290

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