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用卢瑟福背散射/沟道技术及高分辨X射线衍射技术分析不同Al和In含量的AlInGaN薄膜的应变

王欢 姚淑德 潘尧波 张国义

物理学报2007，Vol.56Issue(6)：3350-3354,5.
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物理学报2007，Vol.56Issue(6)：3350-3354,5.

用卢瑟福背散射/沟道技术及高分辨X射线衍射技术分析不同Al和In含量的AlInGaN薄膜的应变

Strain in AlInGaN thin films caused by different contents of AI and In studied by Rutherford backscattering/Channeling and high resolution X-ray diffraction

王欢 1姚淑德 1潘尧波 2张国义2

作者信息

  • 1. 北京大学物理学院技术物理系,北京,100871
  • 2. 北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室,北京,100871
  • 折叠

摘要

关键词

AlInGaN/高分辨X射线衍射/卢瑟福背散射/沟道/弹性应变

分类

数理科学

引用本文复制引用

王欢,姚淑德,潘尧波,张国义..用卢瑟福背散射/沟道技术及高分辨X射线衍射技术分析不同Al和In含量的AlInGaN薄膜的应变[J].物理学报,2007,56(6):3350-3354,5.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:10375004,10575007)和中国比利时科技合作项目(批准号:BIL04/05)资助的课题. （批准号:10375004,10575007）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-3290

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