物理学报2005，Vol.54Issue(7)：3351-3356,6.
双势垒磁性隧道结的磁电阻效应及其在自旋晶体管中的应用
Magnetoresistance effect of double-barrier magnetic tunneling junction applied in spin transistors
摘要
关键词
双势垒磁性隧道结/隧穿磁电阻/共振隧穿效应/自旋晶体管分类
数理科学引用本文复制引用
曾中明,韩秀峰,杜关祥,詹文山,王勇,张泽..双势垒磁性隧道结的磁电阻效应及其在自旋晶体管中的应用[J].物理学报,2005,54(7):3351-3356,6.基金项目
国家重点基础研究发展规划项目(批准号:2001CB610601),中国科学院知识创新工程,国家自然科学基金(批准号:50271081,10274103)和国家杰出青年基金(批准号:50325104)资助的课题. （批准号:2001CB610601）
