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GaN发光二极管的负电容现象

沈君 王存达 杨志坚 秦志新 童玉珍 张国义 李月霞 李国华

发光学报2000,Vol.21Issue(4):338-341,4.
发光学报2000,Vol.21Issue(4):338-341,4.

GaN发光二极管的负电容现象

Negative Capacitance Effect of GaN LEDs

沈君 1王存达 2杨志坚 1秦志新 2童玉珍 3张国义 3李月霞 3李国华3

作者信息

  • 1. 天津大学,应用物理学系,天津,300072
  • 2. 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室,北京,100083
  • 3. 北京大学,物理学系,人工微结构与介观物理国家重点实验室,北京,100871
  • 折叠

摘要

关键词

GaN/发光二极管/负电容

分类

数理科学

引用本文复制引用

沈君,王存达,杨志坚,秦志新,童玉珍,张国义,李月霞,李国华..GaN发光二极管的负电容现象[J].发光学报,2000,21(4):338-341,4.

基金项目

本工作得到北京大学人工微结构与介观物理国家重点实验室和中科院半导体超晶格国家重点实验室的支持,部分由国家自然科学基金资助(69789601 ()

69876002). ()

发光学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-7032

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