辐射感生应力弛豫对Alm Ga1-m N/GaN HEMT电学特性的影响OA北大核心CSCDCSTPCD
The effect of radiation induced strain relaxation on electric performance of AImGa1-Mn/GaN HEMT
基于电荷控制原理建立了辐射感生AlmGa1-mN势垒层应力弛豫对AlmGa1-mN/GaN HEMTs器件电学特性影响的解析模型,并进行了仿真分析.结果表明,对于高Al组分HEMTs器件,AlmGa1-mN势垒层中辐射感生的应力弛豫影响更为显著.辐射感生应力弛豫不但导致2DEG下降和阈值电压正向漂移,而且能够引起漏极输出电流的明显下降.辐射感生应力弛豫是赝配AlmGa1-mN/GaN HEMTs辐射损伤的重要机理之一.
范隆;郝跃
北京时代民芯科技有限公司,北京,100076宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安电子科技大学,西安,710071
数理科学
AlmGa1-mN/GaNHEMT辐射损伤应力弛豫
《物理学报》 2007 (6)
3393-3399,7
国家重点基础研究发展计划项目(批准号:2002CB3119)资助的课题.
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