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辐射感生应力弛豫对Alm Ga1-m N/GaN HEMT电学特性的影响

范隆 郝跃

物理学报2007，Vol.56Issue(6)：3393-3399,7.
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物理学报2007，Vol.56Issue(6)：3393-3399,7.

辐射感生应力弛豫对Alm Ga1-m N/GaN HEMT电学特性的影响

The effect of radiation induced strain relaxation on electric performance of AImGa1-Mn/GaN HEMT

范隆 1郝跃2

作者信息

  • 1. 北京时代民芯科技有限公司,北京,100076
  • 2. 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安电子科技大学,西安,710071
  • 折叠

摘要

关键词

AlmGa1-mN/GaN/HEMT/辐射损伤/应力弛豫

分类

数理科学

引用本文复制引用

范隆,郝跃..辐射感生应力弛豫对Alm Ga1-m N/GaN HEMT电学特性的影响[J].物理学报,2007,56(6):3393-3399,7.

基金项目

国家重点基础研究发展计划项目(批准号:2002CB3119)资助的课题. （批准号:2002CB3119）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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