原子能科学技术2000，Vol.34Issue(4)：339-343,5.
用252Cf裂片源研究单粒子烧毁和栅穿效应的方法
Burnout and Gate Rupture of Power MOS Transistors With Fission Fragments of 252Cf
唐本奇 1王燕萍 1耿斌 1陈晓华 1贺朝会 1杨海亮1
作者信息
- 1. 西北核技术研究所,陕西,西安,710024
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摘要
关键词
功率MOS器件/单粒子烧毁/单粒子栅穿分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
唐本奇,王燕萍,耿斌,陈晓华,贺朝会,杨海亮..用252Cf裂片源研究单粒子烧毁和栅穿效应的方法[J].原子能科学技术,2000,34(4):339-343,5.
