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GaAs/AlGaAs多量子阱结构的电子干涉与红外吸收

程兴奎 黄柏标 徐现刚 刘士文 任红文 蒋民华

红外与毫米波学报1997，Vol.16Issue(5)：339-343,5.
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红外与毫米波学报1997，Vol.16Issue(5)：339-343,5.

GaAs/AlGaAs多量子阱结构的电子干涉与红外吸收

Electron interference and infrared absorption in GaAs/AlGaAs multiquantum well structure

程兴奎 1黄柏标 2徐现刚 2刘士文 2任红文 2蒋民华2

作者信息

  • 1. 山东大学光电材料与器件研究所,山东,济南,250100
  • 2. 山东大学晶体材料研究所,山东,济南,250100
  • 折叠

摘要

关键词

多量子阱结构/电子干涉/红外吸收

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

程兴奎,黄柏标,徐现刚,刘士文,任红文,蒋民华..GaAs/AlGaAs多量子阱结构的电子干涉与红外吸收[J].红外与毫米波学报,1997,16(5):339-343,5.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(编号69076436) （编号69076436）

红外与毫米波学报

OA北大核心CSCD

1001-9014

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