电子科技大学学报2005，Vol.34Issue(3)：340-342,354,4.
表面氢化降低SiC/金属接触间界面态密度的机理
Mechanism of Reduction of Interface-State Density in the SiC/Metal Contact by Hydrogenation
罗小蓉 1张波 1李肇基1
作者信息
- 1. 电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054
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摘要
关键词
氢化/极性/界面态/接触电阻/理想因子分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
罗小蓉,张波,李肇基..表面氢化降低SiC/金属接触间界面态密度的机理[J].电子科技大学学报,2005,34(3):340-342,354,4.
