中国机械工程2005，Vol.16Issue(z1)：341-343,3.
纳米CeO2抛光料对硅晶片进行化学机械抛光的研究
Study on the CMP Mechanism and Property of Silicon Wafer by Nano-sized CeO2 Abrasives
谭刚1
作者信息
- 1. 中国工程物理研究院电子工程研究所,绵阳,621900
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摘要
关键词
纳米CeO2抛光料/化学机械抛光(CMP)/抛光机理/粗糙度分类
通用工业技术引用本文复制引用
谭刚..纳米CeO2抛光料对硅晶片进行化学机械抛光的研究[J].中国机械工程,2005,16(z1):341-343,3.
