电子器件2003，Vol.26Issue(4)：341-343,340,4.
基于0.2μm GaAs PHEMT工艺的压控振荡器IC设计
Design Of Fully Integrated Voltage Controlled Oscillator Using 0.2 μm GaAs PHEMT Technology
摘要
关键词
压控振荡器/锁相环/GaAs PHEMT工艺分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
孙玲,朱恩,孟凡生,吴春红,费瑞霞..基于0.2μm GaAs PHEMT工艺的压控振荡器IC设计[J].电子器件,2003,26(4):341-343,340,4.基金项目
国家863计划资助项目(2001AA121074) （2001AA121074）
