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Si离子注入和退火温度对GaN黄光的影响

张纪才 戴伦 秦国刚

红外与毫米波学报2002，Vol.21Issue(5)：342-346,5.
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红外与毫米波学报2002，Vol.21Issue(5)：342-346,5.

Si离子注入和退火温度对GaN黄光的影响

EFFECT OF Si ION IMPLANTATION IN GaN AND ITS THERMAL ANNEALING TEMPERATURE ON YELLOW LUMINESCENCE

张纪才 1戴伦 2秦国刚2

作者信息

  • 1. 曲阜师范大学物理系,山东,曲阜,273165
  • 2. 北京大学物理学院,人工微结构与介观物理国家重点实验室,北京,100871
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摘要

关键词

GaN/离子注入/光致发光谱/黄光

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

张纪才,戴伦,秦国刚..Si离子注入和退火温度对GaN黄光的影响[J].红外与毫米波学报,2002,21(5):342-346,5.

基金项目

国家自然科学基金(批准号60076003)资助项目 （批准号60076003）

红外与毫米波学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1001-9014

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