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InAs/GaAs 低维结构中载流子快速俘获过程的研究

李晴 徐仲英 葛惟昆

红外与毫米波学报2000,Vol.19Issue(5):343-346,4.
红外与毫米波学报2000,Vol.19Issue(5):343-346,4.

InAs/GaAs 低维结构中载流子快速俘获过程的研究

STUDY OF RAPID CARRIER CAPTURE AND RELAXATION IN InAs/GaAs HETEROSTRUCTURES

李晴 1徐仲英 1葛惟昆2

作者信息

  • 1. 中国科学院半导体研究所,超晶格国家重点实验室,北京,100083
  • 2. 香港科技大学物理系,香港特别行政区,九龙
  • 折叠

摘要

关键词

超快光谱/低维结构/Ⅲ-Ⅴ簇半导体

分类

数理科学

引用本文复制引用

李晴,徐仲英,葛惟昆..InAs/GaAs 低维结构中载流子快速俘获过程的研究[J].红外与毫米波学报,2000,19(5):343-346,4.

基金项目

国家自然科学基金(编号 69736010, 19974045)和国家基础研究重点基金资助项目 (编号 69736010, 19974045)

红外与毫米波学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1001-9014

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