云南冶金2004，Vol.33Issue(5)：34-39,6.
磁电阻材料的发展及应用
Development and Application of Magneto-resistance Materials
杨永安 1张鹏翔 2虞澜1
作者信息
- 1. 昆明理工大学光电子新材料研究所,云南,昆明,650051
- 2. 楚雄师范学院,云南,楚雄,675000
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摘要
关键词
GMR效应/CMR效应/EMR效应分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
杨永安,张鹏翔,虞澜..磁电阻材料的发展及应用[J].云南冶金,2004,33(5):34-39,6.基金项目
国家基金委资助项目(批准号:10274026) （批准号:10274026）
