半导体学报2008，Vol.29Issue(2)：344-347,4.
全耗尽型浮空埋层LDMOS的耐压特性
Breakdown Voltage Characteristics of LDMOS with a Full Depletion Floating Buried Layer
摘要
关键词
LDMOS全耗尽型浮空埋层/RESURF/REBULF/击穿电压分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
成建兵,张波,李肇基..全耗尽型浮空埋层LDMOS的耐压特性[J].半导体学报,2008,29(2):344-347,4.基金项目
模拟集成电路国家重点实验室基金(9140C0903010604)和国家自然科学基金(批准号 （9140C0903010604）
60576052)资助项目 （）
