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改进的垂直布里奇曼法生长CdZnTe晶体中的成分偏离现象

王涛 杨戈 曾冬梅 徐亚东 介万奇

半导体学报2007,Vol.28Issue(z1):345-347,3.
半导体学报2007,Vol.28Issue(z1):345-347,3.

改进的垂直布里奇曼法生长CdZnTe晶体中的成分偏离现象

Study on the Composition Deviations in CZT Crystal Grown by MVB Method

王涛 1杨戈 1曾冬梅 1徐亚东 1介万奇1

作者信息

  • 1. 西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安,710072
  • 折叠

摘要

关键词

CdZnTe/化学计量比偏离/PL谱/红外透过率

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

王涛,杨戈,曾冬梅,徐亚东,介万奇..改进的垂直布里奇曼法生长CdZnTe晶体中的成分偏离现象[J].半导体学报,2007,28(z1):345-347,3.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(批准号:50336040) (批准号:50336040)

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

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