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一种单基极引出结构的硅晶体管

杨茹 李国辉 姬成周 田晓娜 韩德俊 马本堃

半导体学报2005,Vol.26Issue(2):345-348,4.
半导体学报2005,Vol.26Issue(2):345-348,4.

一种单基极引出结构的硅晶体管

A New Structure of One-Base-Contact Transistor

杨茹 1李国辉 1姬成周 1田晓娜 1韩德俊 1马本堃1

作者信息

  • 1. 北京师范大学低能核物理所,北京,100875
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摘要

关键词

单基极/薄基区/全离子注入

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

杨茹,李国辉,姬成周,田晓娜,韩德俊,马本堃..一种单基极引出结构的硅晶体管[J].半导体学报,2005,26(2):345-348,4.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(批准号:60244004) (批准号:60244004)

半导体学报

OA北大核心CSCD

1674-4926

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