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中、低能离子注入中的剂量效应及模拟方法

施小康 于民 石浩 黄如 张兴

半导体学报2004,Vol.25Issue(3):346-350,5.
半导体学报2004,Vol.25Issue(3):346-350,5.

中、低能离子注入中的剂量效应及模拟方法

Dose Effect in Low and Medium Energy Ion Implantation and Simulation Method

施小康 1于民 1石浩 1黄如 1张兴1

作者信息

  • 1. 北京大学微电子学研究所,北京,100871
  • 折叠

摘要

关键词

离子注入/剂量效应/模拟/分子动力学

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

施小康,于民,石浩,黄如,张兴..中、低能离子注入中的剂量效应及模拟方法[J].半导体学报,2004,25(3):346-350,5.

基金项目

国家重点基础研究发展规划资助项目(No.G2000036501) (No.G2000036501)

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

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