物理学报2007，Vol.56Issue(6)：3483-3487,5.
基于I-V-T和C-V-T的GaN上Ni/Au肖特基接触特性研究
Characterization of Ni/Au GaN Schottky contact base on I-V-T and C-V-T measurements
摘要
关键词
氮化镓/肖特基二极管/表面势垒减薄模型/热电子场发射分类
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刘杰,郝跃,冯倩,王冲,张进城,郭亮良..基于I-V-T和C-V-T的GaN上Ni/Au肖特基接触特性研究[J].物理学报,2007,56(6):3483-3487,5.基金项目
国家重点基础研究发展计划(973)(批准号:51327020301,2002CB311904)和西安应用材料创新基金(批准号:XA-AM-200616)资助的课题. （973）
