半导体学报2005，Vol.26Issue(2)：349-353,5.
部分耗尽型注氟SIMOX器件的电离辐射效应
Ionizing Radiation Effect of Partially-Depleted Fluoridated SIMOX
李宁 1张国强 1刘忠立 1范楷 1郑中山 1林青 2张正选 2林成鲁2
作者信息
- 1. 中国科学院半导体研究所,北京,100083
- 2. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050
- 折叠
摘要
关键词
SIMOX/氟/总剂量辐射分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
李宁,张国强,刘忠立,范楷,郑中山,林青,张正选,林成鲁..部分耗尽型注氟SIMOX器件的电离辐射效应[J].半导体学报,2005,26(2):349-353,5.
