北京大学学报（自然科学版）2001，Vol.37Issue(3)：353-358,6.
fT为13.5?GHz的平面结构SiGe异质结双极晶体管的研制
13.5 GHz fT SiGe Heterojunction Bipolar TransistorFabricated by Planar Technology
摘要
Abstract
A planar SiGe heterojunction bipolar transistor was fabricated using polysilicon emitter technology and SiGe base grown by Molecular Beam Epitaxy (MBE).The SiGe HBT (Se=3μm×8μm) has a current gain β of 30 to 50,an emitter-collector breakdown voltage BVCEO of 5V,the maximum cutoff frequency fT of 13.5GHz at room temperature.关键词
多晶硅发射极技术/分子束外延SiGe基区/锗硅异质结双极晶体管分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
贾霖,倪学文,莫邦燹,关旭东,张录,宁宝俊,韩汝琦,李永康,周均铭..fT为13.5?GHz的平面结构SiGe异质结双极晶体管的研制[J].北京大学学报（自然科学版）,2001,37(3):353-358,6.基金项目
国家“九五”科技攻关资助项目(97-761-03-02) （97-761-03-02）
