含纳米硅粒SiO2薄膜的光致发光OA北大核心CSTPCD
The Photoluminescence of SiO2 Films Contained Nano Silicon Particles
采用RF磁控溅射技术制备含纳米硅的SiO2薄膜.通过对Si-SiO2复合靶的比分进行调节控制,并在不同的温度下进行高温退火得到不同粒径的纳米硅.利用XRD对样品进行分析得出纳米硅的平均粒径;对样品测量光致发光谱,其发光峰分别位于361 nm和430 nm,比较发现光致发光的峰位随比分的改变有微小的蓝移.文中对发光机理进行初步讨论.
林赏心;郭亨群
华侨大学信息科学与工程学院,福建,泉州,362021华侨大学信息科学与工程学院,福建,泉州,362021
数理科学
磁控溅射纳米硅光致发光量子限制效应
《华侨大学学报（自然科学版）》 2006 (1)
Si基光电子学关键器件基础研究
35-38,4
国家自然科学基金资助项目(60336010)
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