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基于ANSYS的功率VDMOS器件的热分析及优化设计

华庆 殷景华 焦国芹 刘晓为

电子器件2009,Vol.32Issue(2):354-356,3.
电子器件2009,Vol.32Issue(2):354-356,3.

基于ANSYS的功率VDMOS器件的热分析及优化设计

Thermal Analysis and Optimization of Power VDMOS Transistor Based on ANSYS

华庆 1殷景华 1焦国芹 1刘晓为2

作者信息

  • 1. 哈尔滨理工大学应用科学学院,哈尔滨,150080
  • 2. 哈尔滨工业大学航天学院,哈尔滨,150001
  • 折叠

摘要

关键词

VDMOS/有限元/热分析/ANSYS/优化设计

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

华庆,殷景华,焦国芹,刘晓为..基于ANSYS的功率VDMOS器件的热分析及优化设计[J].电子器件,2009,32(2):354-356,3.

基金项目

教育部春晖计划基金项目资助(Z2005-2-15001) (Z2005-2-15001)

电子器件

OACSTPCD

1005-9490

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