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MeV28Si+注入GaAs的两步快退火行为

张燕文 姬成周 李国辉 王文勋

半导体学报Issue(1)：36,1.
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半导体学报Issue(1)：36,1.

MeV28Si+注入GaAs的两步快退火行为

张燕文 1姬成周 1李国辉 1王文勋1

作者信息

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摘要

关键词

砷化镓/离子注入/退火/掺杂

分类

信息技术与安全科学

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张燕文,姬成周,李国辉,王文勋..MeV28Si+注入GaAs的两步快退火行为[J].半导体学报,1995,(1):36,1.

半导体学报

OA北大核心CSCD

1674-4926

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