原子能科学技术2007，Vol.41Issue(3)：361-365,5.
功率MOSFET器件单粒子烧毁252Cf源模拟试验研究
Experiment Research on Single Event Burnout of Power MOSFET Devices With 252Cf Source
杨世宇 1曹洲 1薛玉雄1
作者信息
- 1. 兰州物理研究所,甘肃,兰州,730000
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摘要
关键词
单粒子烧毁/辐射环境/功率MOSFET器件/252Cf源分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
杨世宇,曹洲,薛玉雄..功率MOSFET器件单粒子烧毁252Cf源模拟试验研究[J].原子能科学技术,2007,41(3):361-365,5.
