|国家科技期刊平台
| 注册
首页|期刊导航|物理学报|AlGaN/GaN HEMT器件直流扫描电流崩塌机理及其物理模型

AlGaN/GaN HEMT器件直流扫描电流崩塌机理及其物理模型

郝跃 韩新伟 张进城 张金凤

物理学报2006，Vol.55Issue(7)：3622-3628,7.
✕
物理学报2006，Vol.55Issue(7)：3622-3628,7.

AlGaN/GaN HEMT器件直流扫描电流崩塌机理及其物理模型

Current slump mechanism and its physical model of AlGaN/GaN HEMTs under DC bias

郝跃 1韩新伟 2张进城 3张金凤2

作者信息

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院,西安
  • 2. 710071
  • 3. 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安
  • 折叠

摘要

关键词

AlGaN/GaN HEMT/直流扫描/电流崩塌/模型

分类

数理科学

引用本文复制引用

郝跃,韩新伟,张进城,张金凤..AlGaN/GaN HEMT器件直流扫描电流崩塌机理及其物理模型[J].物理学报,2006,55(7):3622-3628,7.

基金项目

国家重点基础研究发展计划(973计划)(批准号:2002CB3119,513270407),国防科技重点实验室基金(批准号:51433040105DZ0102,51432030204DZ0101)资助的课题. （973计划）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

访问量4
|
下载量0
段落导航相关论文