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PECVD法制备硅太阳电池SiN薄膜工艺研究进展

冯炜光 刘翔 储清梅 张鹏翔

云南冶金2009,Vol.38Issue(3):36-39,4.
云南冶金2009,Vol.38Issue(3):36-39,4.

PECVD法制备硅太阳电池SiN薄膜工艺研究进展

Overview on SiN Thin Film Prepared by PECVD for Silicon Solar Cell

冯炜光 1刘翔 2储清梅 1张鹏翔2

作者信息

  • 1. 昆明理工大学光电子新材料研究所,云南,昆明,650031
  • 2. 昆明理工大学真空冶金及材料研究所,云南,昆明,650093
  • 折叠

摘要

关键词

太阳电池/PECVD/SiN薄膜

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

冯炜光,刘翔,储清梅,张鹏翔..PECVD法制备硅太阳电池SiN薄膜工艺研究进展[J].云南冶金,2009,38(3):36-39,4.

云南冶金

OACSTPCD

1006-0308

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