PECVD法制备硅太阳电池SiN薄膜工艺研究进展OACSTPCD
Overview on SiN Thin Film Prepared by PECVD for Silicon Solar Cell
由于SiN薄膜具有SiO2、TiO2等薄膜无法相比的优点,越来越广泛地用做硅太阳电池减反射薄膜,对其制备工艺研究更深入.在总结最近的研究状况的基础上,提出了PECVD(Plasma enhanced chemistry vapor deposition)制备SiN薄膜的最佳工艺条件:衬衣温度在360℃左右,射频频率为13.56 MHz,射频功率最好在30～20W的范围,[SiH4∶N2]/[NH3]的最佳流速比在4～7之间,退火温度350～400…查看全部>>
冯炜光;刘翔;储清梅;张鹏翔
昆明理工大学光电子新材料研究所,云南,昆明,650031昆明理工大学真空冶金及材料研究所,云南,昆明,650093昆明理工大学光电子新材料研究所,云南,昆明,650031昆明理工大学真空冶金及材料研究所,云南,昆明,650093
信息技术与安全科学
太阳电池PECVDSiN薄膜
《云南冶金》 2009 (3)
36-39,4
评论