四川大学学报（自然科学版）2006，Vol.43Issue(2)：365-370,6.
关于退火温度对VO2薄膜制备及其电学性质影响的研究
Preparation and Electrical Properties of VO2 Thin Films Affected by Annealed Temprature
摘要
关键词
VO2(A)型薄膜/VO2(B)型薄膜/四方晶系VO2的薄膜/退火温度分类
数理科学引用本文复制引用
王静,何捷,刘中华..关于退火温度对VO2薄膜制备及其电学性质影响的研究[J].四川大学学报（自然科学版）,2006,43(2):365-370,6.基金项目
国家自然科学基金(10475058) （10475058）
