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基于电子激励解吸附原理的二次电子崩假说

高巍 孙广生 严萍 邵涛

高压电器2004，Vol.40Issue(5)：366-369,4.
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高压电器2004，Vol.40Issue(5)：366-369,4.

基于电子激励解吸附原理的二次电子崩假说

Mechanism of Secondary Electron Emission Avalanche Based on Electron-stimulated Desorption

高巍 1孙广生 2严萍 1邵涛1

作者信息

  • 1. 中国科学院电工研究所,北京,100080
  • 2. 中国科学院研究生院,北京,100039
  • 折叠

摘要

关键词

二次电子崩/二次电子发射系数/解吸附

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

高巍,孙广生,严萍,邵涛..基于电子激励解吸附原理的二次电子崩假说[J].高压电器,2004,40(5):366-369,4.

基金项目

国家863计划资助项目 国家自然科学基金资助项目(50207011) （50207011）

高压电器

OA北大核心CSTPCD

1001-1609

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