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MOS器件1/f噪声理论及应用

方志豪 朱秋萍

电子学报Issue(1):37,1.
电子学报Issue(1):37,1.

MOS器件1/f噪声理论及应用

方志豪 1朱秋萍1

作者信息

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摘要

关键词

MOS器件/1/f噪声/亚饱和区/饱和区

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

方志豪,朱秋萍..MOS器件1/f噪声理论及应用[J].电子学报,1991,(1):37,1.

电子学报

OACSCD

0372-2112

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