半导体学报2006，Vol.27Issue(2)：373-376,4.
0.13μm射频MOS场效应晶体管特性及模拟
Characterization and Modeling for 0.13μm RF MOSFETs
摘要
关键词
CMOS/射频/小信号模型/参数提取分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
池毓宋,黄风义,吴忠洁,张少勇,孔晓明,王志功..0.13μm射频MOS场效应晶体管特性及模拟[J].半导体学报,2006,27(2):373-376,4.基金项目
国家自然科学基金(批准号:60476012),江苏省自然科学基金(批准号:BK2004066),东南大学科学基金(批准号:XJ0404142)资助项目 （批准号:60476012）
